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PSMN2R0-30YLE,115
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1700 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R0-30YLE,115
No. Parte Newark53W9722
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.340 |
| 10+ | $2.800 |
| 100+ | $1.910 |
| 500+ | $1.530 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN2R0-30YLE,115
No. Parte Newark53W9722
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1700µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia272W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
272W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN2R0-30YLE,115
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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