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PSMN1R5-30YL,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.0015 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R5-30YL,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9538RL
Cinta adhesiva13T9538
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.460 | $2.46 |
| Total Precio | $2.46 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.460 |
| 50+ | $1.660 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.110 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.990 |
| 2500+ | $0.970 |
| 5000+ | $0.949 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R5-30YL,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9538RL
Cinta adhesiva13T9538
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0015
Resistencia de Activación Rds(on)0.0013ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd109W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia109
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN1R5-30YL es un MOSFET de nivel lógico de canal N con tecnología TrenchMOS avanzada que proporciona baja RDS (ON) y baja carga de puerta. El PSMN1R5-30YL es un MOSFET de nivel lógico de canal N con tecnología TrenchMOS avanzado que proporciona baja RDS (ON) y baja carga de puerta.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
109W
Disipación de Potencia
109
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0015
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN1R5-30YL,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto