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PSMN1R2-25YLDX
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, SOT-669-4
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R2-25YLDX
No. Parte Newark83Y6964
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.210 |
| 10+ | $1.820 |
| 25+ | $1.670 |
| 50+ | $1.530 |
| 100+ | $1.380 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.100 |
| 1000+ | $0.961 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R2-25YLDX
No. Parte Newark83Y6964
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1030µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.73V
Disipación de Potencia172W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1030µohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.73V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
172W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN1R2-25YLDX
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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