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PSMN039-100YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN039-100YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9535RL
Cinta adhesiva13T9535
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.230 | $1.23 |
| Total Precio | $1.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 50+ | $0.575 |
| 100+ | $0.510 |
| 250+ | $0.453 |
| 500+ | $0.396 |
| 1000+ | $0.388 |
| 2500+ | $0.380 |
| 5000+ | $0.372 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN039-100YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9535RL
Cinta adhesiva13T9535
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id28.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0308
Resistencia de Activación Rds(on)0.0308ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia74
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN039-100YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
28.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0308ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
74W
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0308
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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