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PSMN030-60YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN030-60YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9532RL
Cinta adhesiva13T9532
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.050 | $1.05 |
| Total Precio | $1.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.050 |
| 50+ | $0.511 |
| 100+ | $0.427 |
| 250+ | $0.378 |
| 500+ | $0.329 |
| 1000+ | $0.322 |
| 2500+ | $0.316 |
| 5000+ | $0.309 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN030-60YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9532RL
Cinta adhesiva13T9532
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id29
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0191
Resistencia de Activación Rds(on)0.0191ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia56
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN030-60YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
29
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0191ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
56W
Disipación de Potencia
56
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0191
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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