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PSMN029-100HLX
MOSFET, N-CH, 100V, 30A, LFPAK56D ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.160 |
| 10+ | $2.500 |
| 25+ | $2.330 |
| 50+ | $2.160 |
| 100+ | $1.990 |
| 250+ | $1.960 |
| 500+ | $1.920 |
| 1000+ | $1.890 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN029-100HLX
No. Parte Newark61AK9901
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N30A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P30A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorLFPAK56D
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N68W
Disipación de Potencia de Canal P68W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
30A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
68W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
30A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029ohm
Diseño de Transistor
LFPAK56D
Disipación de Potencia de Canal N
68W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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