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PSMN016-100YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 51 A, 0.0127 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN016-100YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9523RL
Cinta adhesiva13T9523
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.260 | $3.26 |
| Total Precio | $3.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.260 |
| 50+ | $2.070 |
| 100+ | $1.400 |
| 250+ | $1.250 |
| 500+ | $1.100 |
| 1000+ | $1.080 |
| 2500+ | $1.060 |
| 5000+ | $1.030 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN016-100YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9523RL
Cinta adhesiva13T9523
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id51
Resistencia de Activación Rds(on)0.0127ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0127
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd117W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia117
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN016-100YS es un MOSFET de canal N de nivel estándar de 100V que utiliza TrenchMOS avanzado que proporciona un RDS bajo (encendido) y una carga de compuerta baja y ganancias de alta eficiencia en los convertidores de potencia de conmutación. Adecuado para su uso en convertidores de CD a CD, control de motores y aplicaciones de fuentes de alimentación de servidor.
- Temperatura Unión 175°C
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
51
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0127
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
117W
Disipación de Potencia
117
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0127ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto