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PSMN014-40YS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN014-40YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6002
Re-reeling (Rollos a medida)13T9519RL
Cinta adhesiva13T9519
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.100 | $1.10 |
| Total Precio | $1.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 50+ | $0.508 |
| 100+ | $0.450 |
| 250+ | $0.399 |
| 500+ | $0.347 |
| 1000+ | $0.340 |
| 2500+ | $0.333 |
| 5000+ | $0.326 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $0.316 |
| 4500+ | $0.278 |
| 7500+ | $0.272 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN014-40YS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6002
Re-reeling (Rollos a medida)13T9519RL
Cinta adhesiva13T9519
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id46A
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia56W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN014-40YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
46A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
56W
Disipación de Potencia
56W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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