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PSMN013-100YSEX
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 58 A, 11 mohm, PowerSO, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100YSEX
No. Parte Newark55W5042
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.960 |
| 10+ | $3.190 |
| 100+ | $2.170 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.96
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100YSEX
No. Parte Newark55W5042
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd238W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia238
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PSMN013-100YSE is a N-channel standard level MOSFET offers enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation. The part of NXP's NextPower Live portfolio, PSMN013-100YSE complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Very low RDS (ON) for low conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
238W
Disipación de Potencia
238
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto