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PSMN012-100YS,115
MOSFET, N CH, 100V, 60A, 4-SOT-669, FULL
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark74AH1178
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.830 |
| 10+ | $2.450 |
| 25+ | $2.190 |
| 50+ | $1.930 |
| 100+ | $1.660 |
| 250+ | $1.490 |
| 500+ | $1.320 |
| 1000+ | $1.150 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark74AH1178
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorLFPAK56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia130W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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