Imprimir página
PMV40UN2R
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 4.4 A, 44 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV40UN2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5981
Re-reeling (Rollos a medida)52Y7630RL
Cinta adhesiva52Y7630
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.756 | $3.78 |
| Total Precio | $3.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.756 |
| 50+ | $0.470 |
| 100+ | $0.305 |
| 250+ | $0.270 |
| 500+ | $0.234 |
| 1000+ | $0.210 |
| 2500+ | $0.206 |
| 5000+ | $0.202 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.158 |
| 6000+ | $0.149 |
| 12000+ | $0.140 |
| 18000+ | $0.131 |
| 30000+ | $0.121 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV40UN2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5981
Re-reeling (Rollos a medida)52Y7630RL
Cinta adhesiva52Y7630
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.044ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente650mV
Disipación de Potencia490mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMV40UN2 is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1000mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.044ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
650mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
490mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto