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PMV37EN2R
MOSFET, N-CH, 30V, 4.5A, TO-236AB ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV37EN2R
No. Parte Newark74AH1168
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.943 |
| 10+ | $0.586 |
| 25+ | $0.508 |
| 50+ | $0.430 |
| 100+ | $0.379 |
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Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV37EN2R
No. Parte Newark74AH1168
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia510mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
510mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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