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PMPB215ENEAX
MOSFET Transistor, N Channel, 1.9 A, 80 V, 0.175 ohm, 10 V, 1.7 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMPB215ENEAX
No. Parte Newark52X6221
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.100 |
| 10+ | $0.695 |
| 25+ | $0.616 |
| 50+ | $0.538 |
| 100+ | $0.460 |
| 250+ | $0.411 |
| 500+ | $0.360 |
| 1000+ | $0.326 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMPB215ENEAX
No. Parte Newark52X6221
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-1220
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175ohm
Diseño de Transistor
SOT-1220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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