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PMPB20EN,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMPB20EN,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark43W6162
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Disponible para pedido
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.683 |
| 10+ | $0.513 |
| 100+ | $0.278 |
| 500+ | $0.266 |
| 1000+ | $0.254 |
| 2500+ | $0.212 |
| 12000+ | $0.168 |
| 27000+ | $0.165 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.42
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMPB20EN,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark43W6162
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id10.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0165
Resistencia de Activación Rds(on)0.0165ohm
Diseño de TransistorSOT-1220
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia1.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PMPB20EN es un FET de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de montaje en superficie de potencia media sin cables que utiliza tecnología MOSFET de trinchera. Es adecuado para su uso en interruptores de carga para dispositivos portátiles, convertidores de CD a CD y aplicaciones de administración de energía informática y de disco duro.
- Conmutación muy rápida
- Paquete de plástico SMD ultrafino pequeño y sin plomo
- Almohadilla de drenaje expuesta para una excelente conducción térmica
- Almohadillas laterales estañadas 100% soldables para inspección óptica de soldadura
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0165ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0165
Diseño de Transistor
SOT-1220
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto