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PMGD280UN,115
MOSFET Transistor, Dual N Channel, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV RoHS Compliant: Yes
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMGD280UN,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7698
Re-reeling (Rollos a medida)34R4571
Cinta adhesiva34R4571
Su número de pieza
6,282 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.770 | $3.85 |
| Total Precio | $3.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.770 |
| 10+ | $0.478 |
| 25+ | $0.418 |
| 50+ | $0.361 |
| 100+ | $0.301 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.161 |
| 6000+ | $0.152 |
| 12000+ | $0.145 |
| 18000+ | $0.137 |
| 30000+ | $0.124 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMGD280UN,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7698
Re-reeling (Rollos a medida)34R4571
Cinta adhesiva34R4571
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N200mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.28ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
200mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.28ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza PMGD280UN,115
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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