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PMBF170,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 5 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMBF170,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W2505
Re-reeling (Rollos a medida)96K5160RL
Cinta adhesiva96K5160
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.325 | $0.32 |
| Total Precio | $0.32 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.325 |
| 50+ | $0.148 |
| 100+ | $0.131 |
| 250+ | $0.115 |
| 500+ | $0.098 |
| 1000+ | $0.096 |
| 2500+ | $0.094 |
| 5000+ | $0.092 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.062 |
| 6000+ | $0.061 |
| 9000+ | $0.060 |
| 15000+ | $0.058 |
| 30000+ | $0.057 |
| 75000+ | $0.056 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMBF170,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W2505
Re-reeling (Rollos a medida)96K5160RL
Cinta adhesiva96K5160
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia de Activación Rds(on)2.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia830mW
Disipación de Potencia Pd830mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMBF170,215 is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™ 1 technology. It is suitable for use in relay driver, high speed line driver and logic level translator applications.
- Very fast switching
- Logic level compatible
- Subminiature surface-mount package
- -65 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
2.8ohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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