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PDTD113ET,215
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark24AJ1645
Rango de ProductoPDTD113E Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.403 |
| 10+ | $0.249 |
| 25+ | $0.217 |
| 50+ | $0.186 |
| 100+ | $0.154 |
| 250+ | $0.133 |
| 500+ | $0.112 |
| 1000+ | $0.098 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$2.02
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark24AJ1645
Rango de ProductoPDTD113E Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle NPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente del Colector Continua500mA
Resitencia Básica de Entrada R11kohm
Resistencia R2 Base Emisor1kohm
Diseño de TransistorTO-236AB
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia250mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.33hFE
Rango de ProductoPDTD113E Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Resitencia Básica de Entrada R1
1kohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
PDTD113E Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente del Colector Continua
500mA
Resistencia R2 Base Emisor
1kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
250mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
33hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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