Imprimir página
NXV55UNR
MOSFET, N-CH, 30V, 1.9A, SOT-23
Disponible para pedido
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.562 | $0.56 |
| Total Precio | $0.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.562 |
| 10+ | $0.355 |
| 25+ | $0.312 |
| 50+ | $0.270 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.127 |
| 6000+ | $0.122 |
| 12000+ | $0.115 |
| 18000+ | $0.108 |
| 30000+ | $0.101 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNXV55UNR
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5891
Re-reeling (Rollos a medida)21AJ6675
Cinta adhesiva21AJ6675
Rango de ProductoTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente66
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia340mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NXV55UNR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is 2.3A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C; t ≤ 5s
- Peak drain current is 7.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 340mW max at Tamb = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 1.9A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.6V typ at IS = 0.4A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Total gate charge is 5.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1.9A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
340mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
66
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NXV55UNR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto