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NX7002BKMBYL
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX7002BKMBYL
No. Parte Newark68Y7770
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.350 |
| 10+ | $0.217 |
| 25+ | $0.190 |
| 50+ | $0.164 |
| 100+ | $0.137 |
| 250+ | $0.120 |
| 500+ | $0.103 |
| 1000+ | $0.091 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX7002BKMBYL
No. Parte Newark68Y7770
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-883B
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-883B
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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