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NX3020NAKW,115
MOSFET Transistor, N Channel, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3020NAKW,115
No. Parte Newark84W8034
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
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| 10+ | $0.200 |
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| 500+ | $0.089 |
| 1000+ | $0.079 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3020NAKW,115
No. Parte Newark84W8034
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2.7ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia300mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2.7ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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