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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008CBKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7649
Re-reeling (Rollos a medida)75T7839RL
Cinta adhesiva75T7839
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.350 | $0.35 |
| Total Precio | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.350 |
| 50+ | $0.215 |
| 100+ | $0.135 |
| 250+ | $0.118 |
| 500+ | $0.101 |
| 1000+ | $0.089 |
| 2500+ | $0.082 |
| 5000+ | $0.074 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.083 |
| 6000+ | $0.077 |
| 9000+ | $0.071 |
| 15000+ | $0.070 |
| 30000+ | $0.068 |
| 75000+ | $0.067 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008CBKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7649
Re-reeling (Rollos a medida)75T7839RL
Cinta adhesiva75T7839
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N350mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P350mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N280mW
Disipación de Potencia de Canal P280mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX3008CBKS es un MOSFET de modo de mejora complementario de canal N/P en un paquete de plástico de montaje en superficie muy pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para aplicaciones de cambio de nivel, convertidor de fuente de alimentación, interruptor de carga y circuito de conmutación.
- Características de conmutación muy rápidas
- Voltaje de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
350mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
280mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
350mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
280mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
