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NX1029X,115
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX1029X,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5895
Re-reeling (Rollos a medida)85Y0083
Cinta adhesiva85Y0083
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24,929 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.735 | $3.68 |
| Total Precio | $3.68 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.735 |
| 10+ | $0.454 |
| 25+ | $0.397 |
| 50+ | $0.341 |
| 100+ | $0.285 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.145 |
| 8000+ | $0.138 |
| 16000+ | $0.131 |
| 24000+ | $0.123 |
| 40000+ | $0.114 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX1029X,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5895
Re-reeling (Rollos a medida)85Y0083
Cinta adhesiva85Y0083
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id330mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N330mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P330mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N330mW
Disipación de Potencia de Canal P330mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
330mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
330mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
330mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
330mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NX1029X,115
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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