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NGW50T65H3DFPQ
IGBT, 80 A, 1.72 V, 340 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNGW50T65H3DFPQ
No. Parte Newark14AM4752
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $10.98 |
| 10+ | $7.70 |
| 25+ | $7.17 |
| 50+ | $6.66 |
| 100+ | $6.13 |
| 250+ | $5.61 |
| 900+ | $5.08 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNGW50T65H3DFPQ
No. Parte Newark14AM4752
Hoja de datos técnicos
Corriente del Colector Continua80
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.72
Disipación de Potencia340
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
80
Disipación de Potencia
340
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.72
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto