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GAN190-650FBEZ
GAN TRANSISTOR, 650V, 11.5A, DFN5060-8
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN190-650FBEZ
No. Parte Newark74AK7565
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.84 |
| 10+ | $6.82 |
| 25+ | $6.24 |
| 50+ | $5.66 |
| 100+ | $5.08 |
| 250+ | $5.02 |
| 500+ | $4.93 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN190-650FBEZ
No. Parte Newark74AK7565
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id11.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.138
Carga de Compuerta Típica2.8
Diseño de TransistorDFN5060
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.138
Diseño de Transistor
DFN5060
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
11.5
Carga de Compuerta Típica
2.8
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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