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GAN140-650FBEZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN140-650FBEZ
No. Parte Newark74AK7563
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.88 |
| 10+ | $9.78 |
| 25+ | $9.09 |
| 50+ | $8.39 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN140-650FBEZ
No. Parte Newark74AK7563
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.106
Carga de Compuerta Típica3.5
Diseño de TransistorDFN5060
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.106
Diseño de Transistor
DFN5060
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
17
Carga de Compuerta Típica
3.5
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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