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BUK7Y7R0-40HX
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, LFPAK56 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK7Y7R0-40HX
No. Parte Newark82AH4502
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.290 |
| 10+ | $2.220 |
| 25+ | $1.940 |
| 50+ | $1.650 |
| 100+ | $1.470 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK7Y7R0-40HX
No. Parte Newark82AH4502
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id68A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Diseño de TransistorLFPAK56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia64W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
64W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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