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BUK763R8-80E,118
MOSFET AECQ101 CANAL N 80V 120A TO-263
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.760 |
| 10+ | $5.800 |
| 25+ | $5.240 |
| 50+ | $4.680 |
| 100+ | $4.110 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK763R8-80E,118Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark73AH9792
Rango de ProductoTrenchMOS
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia357W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchMOS
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchMOS
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
357W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto