Imprimir página
BSS123,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 130 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS123,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W1930
Re-reeling (Rollos a medida)95M4165RL
Cinta adhesiva95M4165
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.410 | $2.05 |
| Total Precio | $2.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.410 |
| 50+ | $0.250 |
| 100+ | $0.160 |
| 250+ | $0.140 |
| 500+ | $0.119 |
| 1000+ | $0.107 |
| 2500+ | $0.105 |
| 5000+ | $0.103 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.078 |
| 9000+ | $0.076 |
| 15000+ | $0.075 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS123,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W1930
Re-reeling (Rollos a medida)95M4165RL
Cinta adhesiva95M4165
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)3.5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd250mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS123 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very high speed switching and logic level compatibility. BS123 is suitable for high speed line drivers, telephone ringer and relay drivers.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 150mA
- Power dissipation (Pd) of 250mW
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
250mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia de Activación Rds(on)
3.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS123,215
2 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto