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BSH111BKR
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSH111BKRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4489
Re-reeling (Rollos a medida)84Y9812RL
Cinta adhesiva84Y9812
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.246 | $0.25 |
| Total Precio | $0.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.246 |
| 50+ | $0.113 |
| 100+ | $0.099 |
| 250+ | $0.088 |
| 500+ | $0.076 |
| 1000+ | $0.074 |
| 2500+ | $0.073 |
| 5000+ | $0.071 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.058 |
| 9000+ | $0.051 |
| 15000+ | $0.050 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSH111BKRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4489
Re-reeling (Rollos a medida)84Y9812RL
Cinta adhesiva84Y9812
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id210mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia302mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSH111BK from Nexperia is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for relay driver, high speed line driver, low-side load switch and switching circuits
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
210mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
302mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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