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2N7002PW,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)84R0970RL
Cinta adhesiva84R0970
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.245 | $0.24 |
| Total Precio | $0.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.245 |
| 50+ | $0.111 |
| 100+ | $0.097 |
| 250+ | $0.086 |
| 500+ | $0.074 |
| 1000+ | $0.067 |
| 2500+ | $0.066 |
| 5000+ | $0.064 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.047 |
| 9000+ | $0.039 |
| 15000+ | $0.038 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)84R0970RL
Cinta adhesiva84R0970
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id310mA
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75V
Disipación de Potencia200mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002PW es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Compatible con nivel lógico
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 1.5kV
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
310mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza 2N7002PW,115
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto