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2N7002PV,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-666, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PV,115
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)59T0226
Cinta adhesiva59T0226
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.598 |
| 10+ | $0.377 |
| 25+ | $0.333 |
| 50+ | $0.287 |
| 100+ | $0.243 |
| 250+ | $0.214 |
| 500+ | $0.185 |
| 1000+ | $0.167 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PV,115
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)59T0226
Cinta adhesiva59T0226
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id350
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Diseño de TransistorSOT-666
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia500
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002PV es un MOSFET de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de montaje en superficie ultrapequeño sin cables que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
350
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto