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2N7002P,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W3383
Re-reeling (Rollos a medida)28T0307RL
Cinta adhesiva28T0307
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.042 | $0.00 |
| Total Precio | $0.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.245 |
| 50+ | $0.121 |
| 100+ | $0.098 |
| 250+ | $0.086 |
| 500+ | $0.073 |
| 1000+ | $0.066 |
| 2500+ | $0.065 |
| 5000+ | $0.063 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.042 |
| 9000+ | $0.041 |
| 15000+ | $0.040 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W3383
Re-reeling (Rollos a medida)28T0307RL
Cinta adhesiva28T0307
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id360mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75V
Disipación de Potencia350
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002P,215 es un MOSFET de modo de mejora de canal N diseñado en un pequeño paquete de plástico de montaje en superficie que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
360mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
350mW
Disipación de Potencia
350
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002P,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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