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2N7002P,215
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W3383
Re-reeling (Rollos a medida)28T0307RL
Cinta adhesiva28T0307
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.245 | $0.24 |
| Total Precio | $0.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.245 |
| 50+ | $0.121 |
| 100+ | $0.098 |
| 250+ | $0.086 |
| 500+ | $0.073 |
| 1000+ | $0.066 |
| 2500+ | $0.065 |
| 5000+ | $0.063 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.042 |
| 9000+ | $0.041 |
| 15000+ | $0.040 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W3383
Re-reeling (Rollos a medida)28T0307RL
Cinta adhesiva28T0307
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id360
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd420mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia420mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002P,215 es un MOSFET de modo de mejora de canal N diseñado en un pequeño paquete de plástico de montaje en superficie que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
360
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
420mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Disipación de Potencia Pd
420mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza 2N7002P,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
