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2N7002BKV,115
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 340 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002BKV,115
No. Parte Newark28T0306
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.893 |
| 10+ | $0.563 |
| 25+ | $0.488 |
| 50+ | $0.412 |
| 100+ | $0.364 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.142 |
| 8000+ | $0.135 |
| 16000+ | $0.128 |
| 24000+ | $0.119 |
| 40000+ | $0.110 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002BKV,115
No. Parte Newark28T0306
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id340mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N340mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N525mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002BKV es un FET de modo de mejora de doble canal N en un paquete de plástico de montaje en superficie que utiliza la tecnología MOSFET Trench. Es adecuado para aplicaciones de controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga del lado bajo y circuito de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
340mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
340mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
525mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza 2N7002BKV,115
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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