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2N7002BKS,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 1.6 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002BKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7914
Re-reeling (Rollos a medida)71T7230RL
Cinta adhesiva71T7230
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.290 | $1.45 |
| Total Precio | $1.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.290 |
| 10+ | $0.180 |
| 15+ | $0.163 |
| 25+ | $0.146 |
| 50+ | $0.129 |
| 125+ | $0.112 |
| 250+ | $0.098 |
| 500+ | $0.083 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.083 |
| 6000+ | $0.081 |
| 9000+ | $0.080 |
| 15000+ | $0.078 |
| 30000+ | $0.076 |
| 75000+ | $0.075 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002BKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante50 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7914
Re-reeling (Rollos a medida)71T7230RL
Cinta adhesiva71T7230
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd295mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia295mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002BKS es un MOSFET de modo de mejora de canal N dual diseñado en un paquete de plástico de montaje en superficie muy pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 2kV
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
295mW
Disipación de Potencia
295mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002BKS,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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