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CM200DU-12F
Módulo IGBT, Doble [medio puente], 200 A, 2.2 V, 590 W, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM200DU-12F
No. Parte Newark95B1854
Rango de ProductoSerie F
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM200DU-12F
No. Parte Newark95B1854
Rango de ProductoSerie F
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente de Colector DC200A
Corriente del Colector Continua200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.2V
Disipación de Potencia590W
Disipación de Potencia Pd590W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPestaña
Tecnología IGBTIGBT 5 [Puerta de trinchera]
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoSerie F
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The CM200DU-12F is a dual Trench gate design IGBTMOD™ Module designed for use in switching applications. It consists of two IGBT transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking base plate, offering simplified system assembly and thermal management.
- Low drive power
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- Discrete super-fast recovery free-wheel diode
- Isolated base plate for easy heat sinking
Aplicaciones
Control de Motor, Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
200A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
590W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
IGBT 5 [Puerta de trinchera]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
200A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.2V
Disipación de Potencia Pd
590W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Pestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Rango de Producto
Serie F
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto