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APT36N90BC3G
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 36 mA, 0.1 ohm, TO-247, Agujero Pasante
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FabricanteMICROSEMI
No. Parte FabricanteAPT36N90BC3G
No. Parte Newark79R4880
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
Información del producto
FabricanteMICROSEMI
No. Parte FabricanteAPT36N90BC3G
No. Parte Newark79R4880
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id36
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd390W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-247
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia390
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Jul-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Disipación de Potencia Pd
390W
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia
390
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Jul-2017)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Jul-2017)
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