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MTA9ASF1G72HZ-2G6E2
Módulo de Memoria RAM, 8 GB, 1333 MHz, PC4-2666, SO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines, Notebook SODIMM
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTA9ASF1G72HZ-2G6E2
No. Parte Newark80AH7046
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTA9ASF1G72HZ-2G6E2
No. Parte Newark80AH7046
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria8GB
Velocidad de Memoria1333MHz
Módulo de MemoriaPC4-2666
Factor de Forma de MóduloSO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines
Memoria AplicaciónNotebook SODIMM
Configuración de Memoria1G x 72bit
Tensión de Alimentación Mín.1.14V
Tensión de Alimentación Máx.1.26V
Tensión de Alimentación Nom.1.2V
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Trabajo Máx.95°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
8GB
Módulo de Memoria
PC4-2666
Memoria Aplicación
Notebook SODIMM
Tensión de Alimentación Mín.
1.14V
Tensión de Alimentación Nom.
1.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
95°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Velocidad de Memoria
1333MHz
Factor de Forma de Módulo
SO-DIMM SDRAM DDR4 260-Pines
Configuración de Memoria
1G x 72bit
Tensión de Alimentación Máx.
1.26V
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto