Imprimir página
MT53E768M32D4DE-046 WT ES:E
DRAM, LPDDR4, 24 Gbit, 768M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M32D4DE-046 WT ES:E
No. Parte Newark80AH8449
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M32D4DE-046 WT ES:E
No. Parte Newark80AH8449
Tipo de DRAMLPDDR4
Densidad de Memoria24Gbit
Densidad de DRAM24Gbit
Configuración Memoria DRAM768M x 32bit
Configuración de Memoria768M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1V
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso-
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4
Densidad de DRAM
24Gbit
Configuración de Memoria
768M x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1V
Tiempo de Acceso
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
24Gbit
Configuración Memoria DRAM
768M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto