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MT53E768M16D1ZW-046 AAT:C
DRAM, LPDDR4, 12 Gbit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M16D1ZW-046 AAT:CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark81AK1766
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M16D1ZW-046 AAT:CCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark81AK1766
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4
Densidad de Memoria12
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4
Frecuencia Max de Reloj
2.133
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
12
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto