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MT53E512M32D2FW-046 AAT:D
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M32D2FW-046 AAT:D
No. Parte Newark80AH8416
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M32D2FW-046 AAT:D
No. Parte Newark80AH8416
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria16
Densidad de DRAM16Gbit
Configuración de Memoria512M x 32bit
Configuración Memoria DRAM512M x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM
16Gbit
Configuración Memoria DRAM
512M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
16
Configuración de Memoria
512M x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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