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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D1KS-046 WT:L
No. Parte Newark68AK1299
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $91.930 |
Precio para:Cada
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Múltiple: 1360
$125,024.80
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D1KS-046 WT:L
No. Parte Newark68AK1299
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria8
Configuración de Memoria256M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT53E256M32D1KS-046 WT:L es una SDRAM LPDDR4X/LPDDR4. La SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 8Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 1 canal × 16 E/S y tiene 8 bancos.
- Rango de Frecuencia: 2133–10MHz (rango de velocidad de datos por pin: 4266–20Mb/s)
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de lectura y escritura programables (RL/WL), longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16/32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Intensidad de salida seleccionable (DS), capacidad de detención del reloj, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
- Configuración de matriz de 256Mg x 32 (2 canales x 16 E/S)
- Paquete VFBGA de 200 bolas, calificado según AEC-Q100.
- Rango de temperatura de funcionamiento de -25°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Configuración de Memoria
256M x 32bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
8
Frecuencia Max de Reloj
2.133
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
