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MT53D1G64D4NW-046 WT:A
DRAM, LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, FBGA
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53D1G64D4NW-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8216
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53D1G64D4NW-046 WT:A
No. Parte Newark80AH8216
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4
Densidad de Memoria64
Densidad de DRAM64Gbit
Configuración de Memoria1G x 64bit
Configuración Memoria DRAM1G x 64bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, TipoFBGA
No. de Pines-
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MT53D1G64D4NW-046 WT:A is a LPDDR4 DRAM. It has a memory density of 64Gbit.
- 2.133GHz maximum clock frequency
- 1.8V nominal supply voltage
- Operating temperature range from -25°C to 85°C
- 432-pins VFBGA package
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
FBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
64
Configuración de Memoria
1G x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto