
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT48LC16M16A2B4-6A:GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH8143 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.480 |
Información del producto
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT48LC16M16A2B4-6A:GCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH8143 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de DRAM | SDR |
| Densidad de DRAM | 256Mbit |
| Densidad de Memoria | 256 |
| Configuración de Memoria | 16M x 16bit |
| Configuración Memoria DRAM | 16M x 16bit |
| Frecuencia Max de Reloj | 166 |
| Frecuencia de Reloj | 166MHz |
| Estuche / Paquete CI | VFBGA |
| Memoria, Tipo | VFBGA |
| No. de Pines | 54Pines |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3.3 |
| Tiempo de Acceso | 6ns |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 70 |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Jan-2023) |
Resumen del producto
MT48LC16M16A2B4-6A:G es una SDRAM SDR de 256Mb. Es una memoria de acceso aleatorio dinámica CMOS de alta velocidad que contiene 268,435,456 bits. Está configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando ACTIVO, al que luego sigue un comando LECTURA o ESCRITURA. Los bits de dirección registrados coincidentes con el comando ACTIVO se utilizan para seleccionar el banco y la fila a los que se accederá. Los bits de dirección registrados coincidentes con el comando READ o WRITE se utilizan para seleccionar la ubicación de la columna de inicio para el acceso en ráfaga.
- Configuración de 16 Meg x 16 (4 Meg x 16 x 4 bancos)
- tWR = recuperación de escritura 2CLK (tWR)
- 6ns en CL = 3 (x8, x16 solamente) tiempo de ciclo
- Totalmente sincrónico; todas las señales se registran en el borde positivo del reloj del sistema
- Operación interna canalizada; la dirección de la columna se puede cambiar en cada ciclo de reloj
- Precarga automática, incluye modos simultáneos de precarga automática y actualización automática
- Entradas y salidas compatibles con LVTTL, fuente de alimentación única de 3.3V ±0.3V
- Totalmente sincrónico; todas las señales se registran en el borde positivo del reloj del sistema
- Rango de temperatura de funcionamiento para automoción de -40 °C a +105 °C, tipo de encapsulado VFBGA de 54 bolas.
Especificaciones técnicas
| Tipo de DRAM | SDR |
|---|---|
| Densidad de Memoria | 256 |
| Configuración Memoria DRAM | 16M x 16bit |
| Frecuencia de Reloj | 166MHz |
| Memoria, Tipo | VFBGA |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3.3 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 70 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de DRAM | 256Mbit |
|---|---|
| Configuración de Memoria | 16M x 16bit |
| Frecuencia Max de Reloj | 166 |
| Estuche / Paquete CI | VFBGA |
| No. de Pines | 54Pines |
| Tiempo de Acceso | 6ns |
| Temperatura de Trabajo Mín. | 0 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Jan-2023) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (17-Jan-2023) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
