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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT46H16M32LFB5-6 AIT:C
No. Parte Newark80AH8086
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Múltiple: 1440
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT46H16M32LFB5-6 AIT:C
No. Parte Newark80AH8086
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR móvil
Densidad de DRAM512Mbit
Densidad de Memoria512
Configuración Memoria DRAM16M x 32bit
Configuración de Memoria16M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj166
Frecuencia de Reloj166MHz
Memoria, TipoVFBGA
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines90Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso6ns
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C es una SDRAM LPDDR móvil. La memoria DDR SDRAM móvil de bajo consumo de 512Mb es una memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad que contiene 536.870.912 bits. Está configurado internamente como una DRAM de cuatro ba
- Voltaje de funcionamiento de 1.8/1.8V, entradas de reloj diferenciales (CK y CK#)
- Señal de datos bidireccional por byte de datos (DQS)
- Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) segmentada; dos accesos a datos por ciclo de reloj
- Comandos introducidos en cada flanco positivo de CK, capacidad de parada del reloj
- DQS borde alineado con datos para Lectura; centro alineado con datos para Escritura
- 4 bancos internos para operación concurrente, máscaras de datos (DM) para enmascarar los datos de escritura; una máscara por byte.
- Longitudes de ráfaga programables (BL): Se admite la opción de precarga automática simultánea de 2, 4, 8 o 16.
- Modos de actualización automática y autoactualización, entradas compatibles con LVCMOS de 1.8V.
- Frecuencia de reloj de 166MHz, tiempo de acceso de 6.0ns, configuración de 16 Meg x 32, direccionamiento estándar JEDEC.
- Encapsulado VFBGA de 90 bolas, rango de temperatura de funcionamiento para automoción de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR móvil
Densidad de Memoria
512
Configuración de Memoria
16M x 32bit
Frecuencia de Reloj
166MHz
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Tiempo de Acceso
6ns
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
512Mbit
Configuración Memoria DRAM
16M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
166
Memoria, Tipo
VFBGA
No. de Pines
90Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
