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MT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J
Memoria Flash, UFS NAND, FBGA, 254 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J
No. Parte Newark80AH7883
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29VZZZBD8FQKSM-046 W.G8J
No. Parte Newark80AH7883
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashUFS NAND
Tamaño de la Memoria-
Densidad de Memoria-
Configuración de Memoria-
Configuración Memoria Flash-
Tipo de Interfaz IC-
Interfaces-
Estuche / Paquete CIFBGA
Memoria, TipoFBGA
No. de Pines254Pines
Frecuencia de Reloj-
Frecuencia Max de Reloj-
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
UFS NAND
Densidad de Memoria
-
Configuración Memoria Flash
-
Interfaces
-
Memoria, Tipo
FBGA
Frecuencia de Reloj
-
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tamaño de la Memoria
-
Configuración de Memoria
-
Tipo de Interfaz IC
-
Estuche / Paquete CI
FBGA
No. de Pines
254Pines
Frecuencia Max de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto