MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E es una memoria flash NAND. Incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Este dispositivo tiene un ECC interno de 4 bits que se puede habilitar mediante las funciones GET/SET.

• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC) compatible con la interfaz de memoria flash NAND abierta (ONFI) 1.0
• Conjunto de comandos: Protocolo flash NAND ONFI
• La señal Listo/Ocupado# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• Señal WP#: Protección contra escritura en todo el dispositivo
• El primer bloque (dirección de bloque 00h) es válido cuando se envía desde fábrica con ECC
• El bloque 0 requiere ECC de 1 bit si los ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO son menores a 1000
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
• Operaciones de movimiento de datos internos admitidas dentro del plano desde el que se leen los datos
• Calidad y fiabilidad: retención de datos: 10 años, resistencia: 100,000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO
• Paquete VFBGA de 63 pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C