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MT28EW256ABA1LJS-0SIT
Memoria Flash, NOR Paralela, 256 Mbit, 32M x 8bit, 16M x 16bit, Paralelo, TSOP, 56 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT28EW256ABA1LJS-0SIT
No. Parte Newark80AH7603
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT28EW256ABA1LJS-0SIT
No. Parte Newark80AH7603
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Densidad de Memoria256
Tamaño de la Memoria256Mbit
Configuración Memoria Flash32M x 8bit, 16M x 16bit
Configuración de Memoria32M x 8bit, 16M x 16bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Estuche / Paquete CITSOP
Memoria, TipoTSOP
No. de Pines56Pines
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj-
Tiempo de Acceso70
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
MT28EW256ABA1LJS-0SIT es una memoria flash NOR paralela integrada. Es un dispositivo de memoria Flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. Las operaciones de LECTURA, BORRAR y PROGRAMACIÓN se realizan utilizando una única fuente de alimentación
- Tecnología de proceso de celda de un solo nivel (SLC)
- Voltaje de alimentación: VCC = 2.7–3.6V (programa, borrado, lectura), VCCQ = 1.65 - VCC (búferes de E/S)
- Programa de palabra/byte: 25us por palabra (típico)
- Borrado de bloque (128 KB): 0.2s (TYP)
- Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de chip y capacidad de escritura en búfer
- Operación de VERIFICACIÓN DE REDUNDANCIA CÍCLICA (CRC) para verificar un patrón de programa
- Protección VPP/WP#: protege el primer o el último bloque independientemente de la configuración de protección del bloque
- Compatible con JESD47, 100,000 (mínimo) ciclos de BORRADO por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
- Densidad de 256Mb, configuración x8, x16
- Paquete TSOP de 56 pines, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Tamaño de la Memoria
256Mbit
Configuración de Memoria
32M x 8bit, 16M x 16bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Memoria, Tipo
TSOP
Frecuencia Max de Reloj
-
Tiempo de Acceso
70
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Densidad de Memoria
256
Configuración Memoria Flash
32M x 8bit, 16M x 16bit
Interfaces
Paralelo
Estuche / Paquete CI
TSOP
No. de Pines
56Pines
Frecuencia de Reloj
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3V Parallel NOR Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto