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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
Memoria Flash, NOR Serial, 1 Gbit, 256M x 4bit, SPI, WPDFN-EP, 8 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QU01GBBB1EW9-0SIT
No. Parte Newark80AH7535
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QU01GBBB1EW9-0SIT
No. Parte Newark80AH7535
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Densidad de Memoria1
Tamaño de la Memoria1Gbit
Configuración Memoria Flash256M x 4bit
Configuración de Memoria256M x 4bit
Tipo de Interfaz ICSPI
InterfacesSPI
Estuche / Paquete CIWPDFN-EP
Memoria, TipoWPDFN-EP
No. de Pines8Pines
Frecuencia de Reloj166MHz
Frecuencia Max de Reloj166
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.2
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT es una memoria flash serial de E/S múltiple. El MT25Q es un dispositivo de memoria flash serial de entrada/salida múltiple de alto rendimiento. Cuenta con una interfaz de bus compatible con SPI de alta velocidad, funcionalidad de ejecución en el lugar (XIP), mecanismos avanzados de protección contra escritura y acceso a direcciones extendidas.
- Interfaz de bus serie compatible con SPI, velocidad de transferencia simple y doble (STR/DTR)
- Protocolos compatibles: E/S extendida, dual y cuádruple, tanto STR como DTR
- Operaciones de PROGRAMAR/BORRAR SUSPENDER, ajustes de configuración volátiles y no volátiles
- Reinicio de software, PIN de reinicio adicional para números de piezas seleccionados
- Rendimiento del programa: 2MB/seg
- Compatible con JESD47H, mínimo 100,000 ciclos de BORRADO por sector, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
- Voltaje nominal de 1.7V a 2.0V
- Densidad de 1Gb (128MB)
- Sectores de 64 KB, subsectores de 4 KB y 32 KB
- Paquete W-PDFN de 8 pines, temperatura de funcionamiento de -40 °C a +85 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Tamaño de la Memoria
1Gbit
Configuración de Memoria
256M x 4bit
Interfaces
SPI
Memoria, Tipo
WPDFN-EP
Frecuencia de Reloj
166MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
2
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria Flash
256M x 4bit
Tipo de Interfaz IC
SPI
Estuche / Paquete CI
WPDFN-EP
No. de Pines
8Pines
Frecuencia Max de Reloj
166
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto