Imprimir página
VP3203N3-G
MOSFET de Potencia, Modo-Mejorado, Canal P, 30 V, 650 mA, 0.6 ohm, TO-92, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVP3203N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark47Y0462
Su número de pieza
710 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.810 |
| 10+ | $1.600 |
| 100+ | $1.390 |
| 500+ | $1.360 |
| 1000+ | $1.330 |
| 2500+ | $1.310 |
| 5000+ | $1.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.81
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVP3203N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark47Y0462
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia740
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable applications: Motor controls, converters, amplifiers, switches, power supply circuits and drivers (relays, hammers, solenoids etc.)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
650
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
740
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto